[16a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [16a-A301-8] 無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価

〇三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC MOSFET、MOS界面、界面準位

SiC無極性面上にpチャネルMOSFETを作製した。その結果、SiC pチャネルMOSFETとして最高移動度の28 cm²/Vs(Si面の2倍以上)が得られた。価電子帯端近傍の低い界面準位密度が、高移動度の一因であると考えられる。本結果は、無極性面にチャネルを有するFinFET CMOSが、高いポテンシャルを有することを示唆する。