[16a-A403-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16a-A403-3] シリコン量子ドットにおけるデチューニングノイズの特性評価

中越 一真¹、〇荒川 雄登¹、松岡 竜太郎¹、土屋 龍太²、峰 利之²、久本 大²、水野 弘之²、溝口 来成¹、米田 淳¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大、2.日立研開)

キーワード：シリコン量子ドット、電荷ノイズ、相関ノイズ

シリコン量子ドットに生じる電荷ノイズを理解することは、量子ビットの操作精度向上に繋がる重要課題である。これまで単一量子ドットが感じ取る電荷ノイズについて盛んな議論が行われてきたのに比べ、ドット間相関を持つノイズについては理解が進んでいない。本研究では二重量子ドット間に生じるデチューニングノイズを極低温環境下で評価した。講演では、このノイズの温度依存性等についても議論する予定である。