[16a-A403-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[16a-A403-9] Direct observation of electron capture processes in amphoteric defect states achieved by charge pumping in individual defects at MOS interface (6) -Lattice relaxation (II)-

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:MOS interface, charge pumping, single amphoteric defect

昨年の春季および秋季講演会での5件の報告に引き続いて本講演では，Donorlike準位とAcceptorlike準位への連続的な伝導帯電子捕獲過程を有するタイプ6～9の単一界面欠陥を用いて，欠陥構造緩和素過程を測定評価し，その特徴を抽出すると共に構造緩和過程の物理を考える．