[16a-A408-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[16a-A408-2] リンドープn形ダイヤモンドへのホウ素イオン注入によるp形伝導層の形成

〇小倉 政彦¹、西村 智朗²、加藤 宙光¹、竹内 大輔¹、山崎 聡¹、牧野 俊晴¹ (1.産総研、2.法政大)

キーワード：ダイヤモンド、イオン注入、半導体