[16a-A408-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[16a-A408-8] C-Si-Oチャネルを用いたダイヤモンドMOSFETの
極低温環境下における動作実証

〇(B)竹内 雅治¹、若林 千幸¹、太田 康介¹、成田 憲人¹、高橋 康裕¹、蔭浦 泰資¹、高野 義彦²、立木 実²、大井 修一²、有沢 俊一²、川原田 洋^1,3 (1.早大理工、2.物質・材料研究機構、3.早大材研)

キーワード：超伝導、FET、ダイヤモンド

ダイヤモンドは、(111)面においてボロン濃度1×10²² cm^-3で超伝導転移温度T_c がヘリウム温度を上回る最大10 Kを示す超伝導材料であり、超伝導FETの応用に適していると考えられる。超伝導FETは、超伝導電極と半導体チャネルで構成され、臨界電流の制御が可能である。そこで、Si終端ダイヤモンド(C-Si-O)をチャネルに、(111)超伝導ボロンドープダイヤモンドをソース・ドレイン電極に用いたMOSFETを作製し、極低温環境下での動作を検証した。