[16a-A408-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [16a-A408-7] 表面終端処理、酸化膜堆積の連続プロセスによる ダイヤモンド MOSFET のヒステリシス低減

〇佐藤 解¹、市川 公善¹、林 寛¹、小倉 政彦²、牧野 俊晴²、加藤 宙光²、竹内 大輔²、猪熊 孝夫¹、山崎 聡¹、徳田 規夫¹、松本 翼¹ (1.金沢大学、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET

反転層型ダイヤモンドMOSFETは伝達特性（ドレイン電流I_D-ゲート電圧V_G）の往復測定のヒステリシス特性に課題があった。本講演では​ダイヤモンド表面の終端処理とゲート酸化膜堆積のプロセスを連続的に行うことで、伝達特性のヒステリシスの低減ができたことを報告する。プロセスも連続化によって、コンタミ層を除去したことにより、理想的な界面に近づいたと思われる。