[16a-B401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-B401-5] Characterization of surface carrier lifetime of InGaN (0001)
using time-resolved two-photon photoemission spectroscopy

〇Shuhei Ichikawa^1,2, Yoshinobu Matsuda³, Heishiroh Dojo¹, Osamu Maida¹, Mitsuru Funato³, Yoichi Kawakami³, Kazunobu Kojima¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.Research Center for UHVEM, Osaka Univ., 3.Kyoto Univ.)

Keywords:surface recombination, InGaN, two-photon photoemission

半導体光デバイスやパワーデバイスにおいて、近年キャリア輸送特性に関する研究が盛んに行われている。現状のキャリア再結合寿命の評価手法として、時間分解フォトルミネセンス法やマイクロ波光導電減衰法等が用いられているが、これらの評価手法による検出信号は試料深さ方向の影響を強く受けるため、表面再結合の影響を切り分けたキャリア寿命の測定は容易ではない。我々はこれまでに、表面に敏感な紫外光電子分光測定において、フェムト秒パルスレーザーをポンプ・プローブ光に用いることで時間分解二光子光電子分光測定系(Tr-2PPE)を構築し、GaAs(110)表面での高速な表面再結合寿命(~73 ps)の評価が可能であることを示してきた。本報告では、as-grown InGaN (0001)最表面における、キャリア寿命を評価したので報告する。