[16a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-B401-5] 時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定

〇市川 修平^1,2、松田 祥伸³、道上 平士郎¹、毎田 修¹、船戸 充³、川上 養一³、小島 一信¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.京大院工)

キーワード：表面再結合、InGaN、二光子光電子分光

半導体光デバイスやパワーデバイスにおいて、近年キャリア輸送特性に関する研究が盛んに行われている。現状のキャリア再結合寿命の評価手法として、時間分解フォトルミネセンス法やマイクロ波光導電減衰法等が用いられているが、これらの評価手法による検出信号は試料深さ方向の影響を強く受けるため、表面再結合の影響を切り分けたキャリア寿命の測定は容易ではない。我々はこれまでに、表面に敏感な紫外光電子分光測定において、フェムト秒パルスレーザーをポンプ・プローブ光に用いることで時間分解二光子光電子分光測定系(Tr-2PPE)を構築し、GaAs(110)表面での高速な表面再結合寿命(~73 ps)の評価が可能であることを示してきた。本報告では、as-grown InGaN (0001)最表面における、キャリア寿命を評価したので報告する。