[16a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [16a-B401-6] 一軸性応力印加によるc面上InGaN量子井戸の偏光制御

〇森 恵人¹、山口 敦史¹、大原 真穂²、牧野 智大²、幸田 倫太郎²、濱口 達史² (1.金沢工大、2.ソニー)

キーワード：InGaN量子井戸、偏光、変形ポテンシャル

本研究では、c面InGaN-QW-VCSELの偏光を安定させるために、InGaN-QWに応力を印加してc面内異方性歪みを導入した．そして，偏光PL測定からc面内に光学異方性が生じることを実証し，さらにInGaNの変形ポテンシャルD5についての知見を得た．