[16a-B414-1~10] 17.3 層状物質

△ [16a-B414-5] 自己触媒VLS成長によるGaSナノベルトの作製

〇遠藤 由大¹、関根 佳明¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT物性研)

キーワード：III-VI族半導体、有機金属気相成長法、硫化ガリウム

自己触媒VLS成長により、GaSナノベルトの作製に成功した。断面TEM観察から、Zigzagエッジに垂直にGaSナノベルトが成長していることを明らかにした。光応答特性を評価した結果、GaSのバンドギャップエネルギー（~ 2.5 eV）以上の光励起によりフォトカレントが生じていることが分かり、照射光波長400 nm、10 V印加の条件下において、高いON/OFF比（> 7000）が得られた。