[16a-D519-1~14] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 量子ビーム界面構造計測、7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

[16a-D519-13] O₂-GCIBとアセチルアセトンによるSiNx膜原子層エッチングプロセスの反応機構の検討

〇竹内 雅耶¹、藤原 怜輝¹、山下 大晴¹、豊田 紀章¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：ガスクラスターイオンビーム、原子層エッチング、窒化シリコン

本講演では、O₂-GCIBとアセチルアセトンを用いたSiNx膜の原子層エッチングの原理実証を行い、SiNx 膜表面に対する反応層形成および反応層除去機構の検討を行う。各ステップにおける表面状態をXPSで評価した結果、本ALEは、O₂-GCIB照射によるSiNx膜表面の酸化、その酸化層へのアセチルアセトンの吸着、O₂-GCIB照射による反応層の除去を繰り返して進むと考えられる。講演ではこの反応プロセスの詳細について定量的に議論する。