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[16a-D519-13] O2-GCIBとアセチルアセトンによるSiNx膜原子層エッチングプロセスの反応機構の検討
キーワード:ガスクラスターイオンビーム、原子層エッチング、窒化シリコン
本講演では、O2-GCIBとアセチルアセトンを用いたSiNx膜の原子層エッチングの原理実証を行い、SiNx 膜表面に対する反応層形成および反応層除去機構の検討を行う。各ステップにおける表面状態をXPSで評価した結果、本ALEは、O2-GCIB照射によるSiNx膜表面の酸化、その酸化層へのアセチルアセトンの吸着、O2-GCIB照射による反応層の除去を繰り返して進むと考えられる。講演ではこの反応プロセスの詳細について定量的に議論する。