[16a-D519-1~14] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 量子ビーム界面構造計測、7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

[16a-D519-5] SiのイオンビームスパッタとAu蒸着によるAuナノワイヤの低温成長

〇(B)西畠 佳汰¹、水谷 仁美¹、高廣 克己¹ (1.京工繊大)

キーワード：ナノワイヤ、イオンビーム、スパッタ蒸着

我々は、Siスパッタ蒸着により非晶質Siを基板上に作製後、Auを蒸着することで、Au NWsが成長することを見出した。Siのイオンビームスパッタを用いると、任意の基板上に非晶質Siを堆積可能であるため、多種類の基板にAu NWsを作製することができる。本研究では、イオンビームスパッタにより、種々の基板に非晶質Siを堆積後、Auを真空蒸着することで、Au NW成長に対する基板依存性を検討した。