2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-E102-1~6] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2023年3月16日(木) 10:30 〜 12:00 E102 (12号館)

東脇 正高(情通機構)

11:15 〜 11:30

[16a-E102-4] Depth profile of Nb in anatase Ti1−xNbxO2 thin films grown by mist chemical vapor deposition method

〇(D)Han XU1、Tomohito Sudare1,4、Yumie Miura1,4、Ryo Nakayama1,4、Ryota Shimizu1、Naoomi Yamada2、Kentaro Kaneko3、Taro Hitosugi1,4 (1.Tokyo Tech.、2.Chubu Univ.、3.Ritsumeikan Univ.、4.Univ. Tokyo)

キーワード:mist chemical vapor deposition, transparent conductive oxide

Niobium-doped anatase titanium dioxide (Ti1xNbxO2: TNO) has gained much attention due to its transparent conducting properties. The fabrication of TNO thin films has been mainly studied using vacuum physical vapor deposition (PVD). In this research, we applied mist chemical vapor deposition (mist-CVD), which is a high-throughput, scalable, cost-effective, and environmentally-friendly process, to fabricate TNO thin films.