Han XU

発表者・著者、共著者

2023年3月16日(木) 10:30 〜 12:00 E102 (12号館)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-E102-1~6] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30

▲ [16a-E102-4] Depth profile of Nb in anatase Ti_1−xNb_xO₂ thin films grown by mist chemical vapor deposition method

〇(D)Han XU¹、Tomohito Sudare^1,4、Yumie Miura^1,4、Ryo Nakayama^1,4、Ryota Shimizu¹、Naoomi Yamada²、Kentaro Kaneko³、Taro Hitosugi^1,4 (1.Tokyo Tech.、2.Chubu Univ.、3.Ritsumeikan Univ.、4.Univ. Tokyo)

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