[16a-E102-1~6] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-E102-6] Mist CVD法により成長したα-In₂O₃薄膜の低キャリア濃度化とMOSFET製作

〇田口 義士¹、山寺 真理¹、山本 拓実¹、林 佑哉¹、村山 衛¹、小川 広太郎¹、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹、金子 健太郎²、相川 真也¹、藤田 静雄³、山口 智広¹ (1.工学院大、2.立命館大、3.京都大)

キーワード：Mist CVD、酸化インジウム、MOSFET