[16a-PA06-1~13] 3.7 光計測技術・機器（旧3.8）

[16a-PA06-5] 高効率GaAsP-MCP-PMTの開発

〇長谷川 寛¹、浜名 康全¹、穐山 啓介¹、西村 一¹、石橋 正二郎² (1.浜松ホトニクス、2.海洋研究開発機構)

キーワード：光電子増倍管、マイクロチャンネルプレート

光電子増倍管の光検出効率（Detection Efficiency, D.E.）は、光電面（Photocathode, PC）の量子効率(Quantum Efficiency, Q.E.）とPCから放出された電子が信号出力に寄与する収集効率（Collection Efficiency, C.E.）の積で表される[1]。従来のMCP-PMTは、ゲート動作に用いるメッシュ電極と短寿命対策として存在するMCP上のAl膜によってC.E.を低下させている。光電子増倍管短寿命の原因の一つとして、真空管内に発生した陽イオンがPCにダメージを与えることが知られている。特に、GaAsP光電面は、この影響を受けやすい。PC短寿命化対策として、光電子増倍管内の耐イオン処理を試みた結果、メッシュ電極とAl膜を除去したGaAsP-MCP-PMTにて、D.E. 3.3倍、従来品同等以上の寿命特性を確認した。