[16p-A301-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16p-A301-4] InP/GaPN系Type-II量子ドット太陽電池構造の作製

〇(M2)有本 岳史¹、若原 昭浩¹、山根 啓輔¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：結晶工学

我々はInP積層量子ドットをSi格子整合系埋め込み層 (Ga(As)PN)で埋め込んだType-IIバンドアライメントをIII-V/Si多接合太陽電池のトップセルとして提案している。これまでに、電子/正孔の空間分離に必要な伝導帯および価電子帯のバンドオフセットを実現するためのドットサイズを検討した。この結果を基に、InP量子ドットとGaPN埋め込み層を組み合わせた太陽電池構造の作製を行った。