[16p-A302-1~8] マイクロ・ナノスケール微細加工の表面界面先端技術

[16p-A302-7] 半導体リソグラフィの微細化、エッチング耐性の限界を打破する「プラスα」技術：誘導自己組織化(DSA)と逐次浸透合成(SIS)

〇浅川 鋼児¹ (1.キオクシア)

キーワード：リソグラフィ、誘導自己組織化、逐次浸透合成

半導体の高性能化、大容量化は、リソグラフィと言われる微細加工の進化により発展してきた。リソグラフィでは、超微細なパターンを解像する技術、さらにはLine Edge Roughness (LER)などを修復する技術、高エッチング材料などが求められている。そのような材料技術として、誘導自己組織化(Directed Self-Assembly, DSA)、逐次浸透合成(Sequential Infiltration Synthesis, SIS)の検討が進んでいる。本報告では、DSAとSISの基本的な原理と、リソグラフィでの応用を述べる。