[16p-A304-1~13] 13.9 化合物太陽電池

[16p-A304-8] フォトリフレクタンス法を用いたn型半導体/ZnSnP₂界面の調査

〇住吉 壱心¹、野瀬 嘉太郎¹ (1.京大院工)

キーワード：フォトリフレクタンス、フランツケルディッシュ振動、pn接合

太陽電池において開放電圧はpn接合の内臓電位に依存する．本研究では非接触かつ界面電場敏感な手法であるフォトリフレクタンス（PR）法を用い，種々のn型半導体/ZnSnP₂（ZTP）界面の調査を行った．ZTPのPRスペクトルにはバンド端より高エネルギー側にFranz-Keldysh振動（FKO）が観測された．FKOの解析よりCdS/ZTPよりも表面酸化物/ZTPの界面電場の方が高いことが示唆された．