[16p-A403-1~20] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[16p-A403-12] Fabrication and Evaluation of Resistive Switching Devices Using Selective Surface Oxidation Films of Liquid Metal Alloys

〇(M1)Yuto Katsuma¹, Takahiko Ban¹, Masayoshi Ichimiya¹, Junichi Yanagisawa¹, Shin-ichi Yamamoto² (1.Shiga Prefecture Univ., 2.Ryukoku Univ.)

Keywords:Resistive Switching Devices, Liquid Metal, Surface Oxidation Films

抵抗変化素子は抵抗の変化を利用した不揮発性メモリで，簡単な構造のため微細化が容易である．一方でウェアラブル端末など柔軟性が求められるデバイスには，液体金属のようなフレキシブルな材料が適している．本研究では液体金属合金とその選択的表面酸化膜を用いた抵抗変化素子の作製に成功した．さらに伝導機構解析を行った結果，低抵抗状態ではオーミック伝導，高抵抗状態ではショットキー放出が起こっていることが確認できた．