[16p-A403-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16p-A403-12] 液体金属合金とその選択的表面酸化膜を用いた抵抗変化素子の作製と評価

〇(M1)勝間 勇斗¹、番 貴彦¹、一宮 正義¹、柳澤 淳一¹、山本 伸一² (1.滋賀県立大、2.龍谷大)

キーワード：抵抗変化素子、液体金属、表面酸化膜

抵抗変化素子は抵抗の変化を利用した不揮発性メモリで，簡単な構造のため微細化が容易である．一方でウェアラブル端末など柔軟性が求められるデバイスには，液体金属のようなフレキシブルな材料が適している．本研究では液体金属合金とその選択的表面酸化膜を用いた抵抗変化素子の作製に成功した．さらに伝導機構解析を行った結果，低抵抗状態ではオーミック伝導，高抵抗状態ではショットキー放出が起こっていることが確認できた．