2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[16p-A403-1~20] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2023年3月16日(木) 13:00 〜 18:45 A403 (6号館)

遠藤 和彦(東北大)、加藤 公彦(産総研)

16:30 〜 16:45

[16p-A403-12] 液体金属合金とその選択的表面酸化膜を用いた抵抗変化素子の作製と評価

〇(M1)勝間 勇斗1、番 貴彦1、一宮 正義1、柳澤 淳一1、山本 伸一2 (1.滋賀県立大、2.龍谷大)

キーワード:抵抗変化素子、液体金属、表面酸化膜

抵抗変化素子は抵抗の変化を利用した不揮発性メモリで,簡単な構造のため微細化が容易である.一方でウェアラブル端末など柔軟性が求められるデバイスには,液体金属のようなフレキシブルな材料が適している.本研究では液体金属合金とその選択的表面酸化膜を用いた抵抗変化素子の作製に成功した.さらに伝導機構解析を行った結果,低抵抗状態ではオーミック伝導,高抵抗状態ではショットキー放出が起こっていることが確認できた.