[16p-A409-1~17] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [16p-A409-12] Ultrasonic resonance characteristics of quasi shear mode in the giga-hertz range of
(10-12) LiNbO₃ epitaxial thin film

〇Hiroki Uchida^1,2, Shinya Kudo^1,2, Yanagitani Takahiko^1,2,3,5,4 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST, 5.JST-START)

Keywords:LiNbO3, Epitaxial growth, c-Axis tilted film

LiNbO3（LN）は、Q値とk値が高いため、SAWフィルタに使用されている。しかし、通常のスパッタリング法で成長できるc軸配向LNのk値は低いため、BAWフィルタとして使用されていない。一方、Smartcutなどの薄片化技術を用いれば、任意の結晶方位の単結晶薄片を得ることができる 。しかし、バルクLN単結晶ウエハは6インチに対して、スパッタリング法で作製可能なAlN薄膜では8インチで実用化されており、配向制御が達成できれば、スパッタLN薄膜の優位性は高い。本研究では、エピタキシャルPt/c面オフ角Al2O3上でのc面傾斜LN薄膜のエピタキシャル成長を報告する。さらに、LN共振子の擬似厚み縦モード励振特性を報告する。