[16p-A409-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

△ [16p-A409-14] オフ角サファイア単結晶基板上c軸傾斜MgZnO,ScAlNエピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性

〇小林 栞^1,2、岸 大貴^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,4,5 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST、5.JST-START)

キーワード：圧電薄膜、エピタキシャル、ScAlN

本研究では平行平板型のPFマグネトロンスパッタ装置を用いてa面方向に10°、20°オフ角を付けたc面サファイア基板上に(111)Ptをエピタキシャル成長させ、さらにその上に ScAlNおよびMgZnO薄膜をエピタキシャル成長させた。また、変換損失法を用いてk´35を推定した。