2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[16p-A409-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

2023年3月16日(木) 14:00 〜 18:30 A409 (6号館)

神野 伊策(神戸大)、吉村 武(大阪公立大)、安井 伸太郎(東工大)、吉田 慎哉(芝浦工業大)

17:45 〜 18:00

[16p-A409-15] エピ音響ブラッグ反射器およびエピScAlN, MgZnO圧電薄膜から成るSMR

渡海 智1,2、柳谷 隆彦1,2,3,4,5 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST、5.JST-START)

キーワード:SMR、エピタキシャル成長、BAWフィルタ

BAWフィルタでは、密集した無線バンド間の干渉を防ぐために優れた急峻性 (Q値)が望まれる。圧電層に単結晶薄膜を用いれば、Q値が向上することが期待できる。本研究では、SMRの高/低音響インピーダンス層にいずれも金属薄膜を用いることで、サファイア単結晶基板上に音響ブラッグ反射器をエピ成長させた。その上に圧電薄膜をエピ成長させ、すべての層がエピタキシャル薄膜から成るSMRの実現を試みた。