[16p-A409-1~17] 6.1 Ferroelectric thin films

[16p-A409-7] Formation of piezoelectric single-crystal PbTiO₃ films on Si substrates utilizing buffer layer

〇KYOSUKE IYAMA¹, Takeshi Kijima^1,2, Hiroyasu Yamahara¹, Hitoshi Tabata¹ (1.The Univ. of Tokyo, 2.Gaianixx)

Keywords:ferroelectric, bioelectronics, epitaxial growth

ピエゾMEMSデバイス技術のキーは、Si基板上に強誘電体薄膜をエピタキシャル成長させることである。本研究では、バッファ層の強誘電性が上部の強誘電体薄膜に与える影響を調べることを目的とした。結果としてHfO₂にZrをドーパント添加したバッファ層を用いた場合が、弾性変形格子マッチングが起きることに加えて、c軸優先配向性をより持たせたことによってPbTiO₃強誘電体薄膜の分極が最も大きくなった。