[16p-A409-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

[16p-A409-7] バッファ層を活用したSi基板上へのPbTiO_3­­圧電単結晶薄膜の作製

〇伊山 京助¹、木島 健^1,2、山原 弘靖¹、田畑 仁¹ (1.東大院工、2.Gaianixx)

キーワード：強誘電体、バイオエレクトロニクス、エピタキシャル成長

ピエゾMEMSデバイス技術のキーは、Si基板上に強誘電体薄膜をエピタキシャル成長させることである。本研究では、バッファ層の強誘電性が上部の強誘電体薄膜に与える影響を調べることを目的とした。結果としてHfO₂にZrをドーパント添加したバッファ層を用いた場合が、弾性変形格子マッチングが起きることに加えて、c軸優先配向性をより持たせたことによってPbTiO₃強誘電体薄膜の分極が最も大きくなった。