[16p-B309-1~20] 17.1 Carbon nanotubes & other nanocarbon materials

[16p-B309-20] Fabrication of asymmetric-gate carbon nanotube thin-film transistors by self-align process

〇(M1)Shuta Hori¹, Haruki Uchiyama¹, Hiromichi Kataura², Yutaka Ohno^1,3 (1.Dept. Electronics, Nagoya Univ., 2.AIST, 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:carbon nanotube, thin-film transistor

カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(CNT TFT)はショットキ接触を用いた電極に起因し少数キャリアによるリーク電流I_Lが大きい．ドレイン-ゲート電極間のギャップによりI_Lを抑制できるが，プロセス中に収縮するプラスチック基板上ではリソグラフィによるギャップ長の精密な制御は困難である．本研究では，背面露光と斜め蒸着法による自己整合的なギャップを形成する手法を考案し，CNT TFTのI_Lを抑制した．