6:00 PM - 6:15 PM
[16p-B309-20] Fabrication of asymmetric-gate carbon nanotube thin-film transistors by self-align process
Keywords:carbon nanotube, thin-film transistor
カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(CNT TFT)はショットキ接触を用いた電極に起因し少数キャリアによるリーク電流ILが大きい.ドレイン-ゲート電極間のギャップによりILを抑制できるが,プロセス中に収縮するプラスチック基板上ではリソグラフィによるギャップ長の精密な制御は困難である.本研究では,背面露光と斜め蒸着法による自己整合的なギャップを形成する手法を考案し,CNT TFTのILを抑制した.