[16p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B401-1] [第13回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演] Naフラックス法を活用した大口径高品質GaN結晶育成技術の創成と社会実装

〇森 勇介¹ (1.阪大工)

キーワード：GaN、Naフラックス法

大阪大学で1997年から研究が進められたNaフラックス法によるGaN結晶育成技術に関して、25年間の進展の歴史と最新の状況について述べる。