[16p-B401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-B401-10] Endpoint detection of Eu-doped GaN layer during etching process using optical emission spectroscopy

〇Yoko Sato¹, Shojiro Konno¹, Atsushi Motoyama¹, Masaki Yokoi¹, Makoto Matsuhama², Shuhei Ichikawa³, Kazutsune Miyanaga³, Norio Kanzaki³, Yasufimi Fujiwara³ (1.HORIBA STEC, 2.HORIBA, 3.Osaka Univ.)

Keywords:optical emission spectroscopy, etching, endpoint detection

マイクロLEDディスプレイの実現に向け、Eu添加GaN赤色LED／InGaN量子井戸構造青色・緑色LEDからなるフルカラーLEDのモノリシック化を進めるにあたり、ドライエッチングにおける終点検知が重要なキーテクノロジーとなる。本研究では、終点検知に特化した独自のアルゴリズム「Rupture Intensity」を搭載したOESを用いて、Euを添加したGaN層の終点検知に成功したので報告する。