[16p-B401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-B401-11] InGaN Etching Caracteristic by Hydrogen Iodide (HI) Neutral Beam

〇Daisuke Ohori¹, Takahiro Ishihara¹, Xuelun Wang^2,3, Nobuhiro Natori⁴, Daisuke Sato⁴, Yiming Li⁵, Kazuhiko Endo¹, Seiji Samukawa^5,1 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIST, 3.IMaSS, Nagoya Univ., 4.Showa Denko K.K., 5.NYCU)

Keywords:neutral beam, InGaN etching

次世代ディスプレイ技術としてマイクロ(μ)LED が注目されている。μLEDはInGaN/GaN多重量子井戸(MQWs)へドライエッチングを行うことで作製される。InGaN の加工においてIn 塩化物の揮発性が乏しく加工速度が遅いため、MQW エッチングにおい て加工時間が長時間となる上、加工後の表面に残渣を形成するという課題がある。そこで本研究ではエッチング生成物であるIn化合物に対して、高い揮発性を見込めるヨウ素ガス(ヨウ化水素: HI)NBを用いて、エッチングメカニズムを議論した。