[16p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B401-3] [第44回論文奨励賞受賞記念講演] 屈折率導波構造を適用した低閾値電流（~85 mA）のAlGaN系UV-B LD

〇田中 隼也¹、荻野 雄矢¹、山田 和輝¹、小椋 怜旺¹、手良村 昌平¹、下川 萌葉¹、石塚 彩花¹、岩山 章^1,2、佐藤 恒輔³、三宅 秀人²、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹ (1.名城大学　理工、2.三重大学、3.旭化成)

キーワード：AlGaN、レーザダイオード、紫外

横方向及び縦方向の両方向から光閉じ込めを向上させたUV-B領域の屈折率導波路型AlGaN系レーザダイオード（LD）を作製し，しきい値電流が85 mAという可視光領域のLDと遜色のないデバイスを実現した．