[16p-B401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-B401-5] [The 44th Paper Award Speech] Fabrication and room-temperature operation of full-color LEDs consisting of
Eu-doped GaN and InGaN quantum wells on the same sapphire substrate

〇Shuhei Ichikawa^1,2, Keishi Shiomi¹, Takaya Morikawa¹, Yutaka Sasaki¹, Dolf Timmerman¹, Jun Tatebayashi¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.Research Center for UHVEM, Osaka Univ.)

Keywords:Eu-doped GaN, InGaN, LED

次世代を担うディスプレイとして近年注目を集めているマイクロLEDディスプレイの実現には、3原色LEDチップの高集積化が必要不可欠である。実現のためには、同一基板上に(同一材料系で) 3原色のLED を如何に作製するか、がキーテクノロジーとなる。 本講演では、2021年にApplied Physics Express誌に掲載され、本学会第44回優秀論文賞に選定された論文[Appl. Phys. Express 14, 031008 (2021).]において取り扱った、従来のInGaN/GaN量子井戸ベースの青色・緑色LEDとGaN:Euベースの赤色LED組み合わせることで実現した3原色LEDの垂直積層型のモノリシック集積技術と、各種LEDの諸特性について紹介する。