[16p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B401-5] [第44回優秀論文賞受賞記念講演] Eu添加GaNおよびInGaN量子井戸のハイブリッド積層による
同一サファイア基板上フルカラーLEDの作製と室温動作

〇市川 修平^1,2、塩見 圭史¹、森川 隆哉¹、佐々木 豊¹、Dolf Timmerman¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター)

キーワード：Eu添加GaN、InGaN、LED

次世代を担うディスプレイとして近年注目を集めているマイクロLEDディスプレイの実現には、3原色LEDチップの高集積化が必要不可欠である。実現のためには、同一基板上に(同一材料系で) 3原色のLED を如何に作製するか、がキーテクノロジーとなる。 本講演では、2021年にApplied Physics Express誌に掲載され、本学会第44回優秀論文賞に選定された論文[Appl. Phys. Express 14, 031008 (2021).]において取り扱った、従来のInGaN/GaN量子井戸ベースの青色・緑色LEDとGaN:Euベースの赤色LED組み合わせることで実現した3原色LEDの垂直積層型のモノリシック集積技術と、各種LEDの諸特性について紹介する。