[16p-B409-1~8] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[16p-B409-7] 直接貼付InP/Si基板のボイドによる導波損失の数値計算(Ⅱ)

〇趙 亮¹、阿形 幸二¹、伊藤 慎吾¹、矢田 涼介¹、ZHANG JUNYU¹、下村 和彦¹ (1.上智大学)

キーワード：光導波路、シリコンフォトニクス、シミュレーション

大規模集積回路の高速大容量通信を低消費電力で実現すべく、Si基板上へのInP系光デバイスの集積が盛んに研究されている。これに対し、我々は、薄膜のInPとSi基板を直接貼付法によって貼り合せ、このInP/Si基板上にInP系結晶の成長をすることで光デバイスの集積および作製を行う手法を提案してきた。
今回、InP/Si基板作製で発生する表面欠陥による導波損失をCOMSOLでシミュレーションし、光損失係数を算出し、さらに、量子井戸レーザの閾値電流密度の計算を行った。