[16p-B409-1~8] 3.12 Semiconductor optical devices (formerly 3.13)

[16p-B409-8] Multiple proton ion-implantation characteristics for lateral-direction electro absorption modulators

〇(M2)Kairi Atsugi¹, Huang Haidong¹, Yuichi Matsushima¹, Hiroshi Ishikawa¹, Katsuyuki Utaka¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:electro absorption modulator

デバイスの集積化のために、高速動作と小型化の観点から電気吸収型光変調器（EAM）が重要な役割を担っている。近年では高速変調の実現に向け，横電界型EAMが注目されている。本研究では，プロトン（H⁺）注入により変調領域を形成した横方向電界型EAMを提案している。この方法は従来に比べ、素子作製が容易であるという利点がある。今回は多段プロトン注入による絶縁領域の形成条件と特性評価を報告する。