[16p-B409-1~8] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[16p-B409-8] 横方向電圧印可電界吸収型変調器のためのプロトンイオン多段注入特性

〇(M2)厚木 開里¹、黄 海東¹、松島 裕一¹、石川 浩¹、宇高 勝之¹ (1.早稲田大学)

キーワード：電界吸収変調器

デバイスの集積化のために、高速動作と小型化の観点から電気吸収型光変調器（EAM）が重要な役割を担っている。近年では高速変調の実現に向け，横電界型EAMが注目されている。本研究では，プロトン（H⁺）注入により変調領域を形成した横方向電界型EAMを提案している。この方法は従来に比べ、素子作製が容易であるという利点がある。今回は多段プロトン注入による絶縁領域の形成条件と特性評価を報告する。