[16p-B508-1~17] 13.3 Insulator technology

[16p-B508-1] [The 44th Paper Award Speech] Acceleration of Ferroelectric Phase Formation in HfO₂-ZrO₂ Nanolaminate Structures

〇Shinji Migita¹, Hiroyuki Ota¹, Shutaro Asanuma¹, Yukinori Morita¹, Akira Toriumi² (1.AIST, 2.Univ. Tokyo)

Keywords:ferroelectric, HfO2, laminate

半導体プロセスとの整合性に優れたHfO₂系強誘電体は、ロジックとメモリが融合する次世代情報処理システムへの活用が期待されている。強誘電性発現が報告された最初の報告以来、材料・プロセス・デバイスの研究を通して多くの知見が得られているが、その中でも鍵になるのがプロセスである。成膜方法、ドーピング、熱処理、さらには電極界面処理、これらを組み合わせて最適化することがHfO₂系強誘電体材料の性能を引き出す上で欠かせない。本報告では、結晶相の変化に着目した我々の研究を紹介させていただく。