4:00 PM - 4:15 PM
△ [16p-B508-11] Analysis of InGaAs interface state reduction by deoisition of plasma ALD POx
Keywords:InGaAs, Interface satate, Phosphorous oxide
短波長赤外光に感度を持つInGaAsセンサーでは、界面準位による暗電流が課題となっている。我々はプラズマALDのPOx膜によるInGaAsパッシベーションに注目し、InGaAs界面準位低減を目的として実験を行った。MOSCAPのCV測定の結果、POxではSiO2に対して大幅にInGaAsの界面準位が低減する結果となった。本発表ではこれらのCV測定の結果と、XPSによる界面の結合状態の評価から、InGaAsの界面準位低減のメカニズムに関して議論する。