[16p-B508-1~17] 13.3 Insulator technology

△ [16p-B508-11] Analysis of InGaAs interface state reduction by deoisition of plasma ALD PO_x

〇Yusuke Ohtsuka¹, Keigo Nakamura¹, Ryoji Arai¹, Ryosuke Matsumoto¹, Itaru Oshiyama¹, Shinichi Yoshida¹, Tomoyuki Hirano¹, Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:InGaAs, Interface satate, Phosphorous oxide

短波長赤外光に感度を持つInGaAsセンサーでは、界面準位による暗電流が課題となっている。我々はプラズマALDのPO_x膜によるInGaAsパッシベーションに注目し、InGaAs界面準位低減を目的として実験を行った。MOSCAPのCV測定の結果、PO_xではSiO₂に対して大幅にInGaAsの界面準位が低減する結果となった。本発表ではこれらのCV測定の結果と、XPSによる界面の結合状態の評価から、InGaAsの界面準位低減のメカニズムに関して議論する。