[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [16p-B508-11] プラズマALDのPO_x成膜によるInGaAs界面準位低減検討

〇大塚 悠介¹、中村 圭吾¹、新井 龍志¹、松本 良輔¹、押山 到¹、吉田 慎一¹、平野 智之¹、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：InGaAs、界面準位、リン酸化膜

短波長赤外光に感度を持つInGaAsセンサーでは、界面準位による暗電流が課題となっている。我々はプラズマALDのPO_x膜によるInGaAsパッシベーションに注目し、InGaAs界面準位低減を目的として実験を行った。MOSCAPのCV測定の結果、PO_xではSiO₂に対して大幅にInGaAsの界面準位が低減する結果となった。本発表ではこれらのCV測定の結果と、XPSによる界面の結合状態の評価から、InGaAsの界面準位低減のメカニズムに関して議論する。