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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2023年3月16日(木) 13:00 〜 17:45 B508 (2号館)

田岡紀之(名大)、山本芳樹(ルネサスエレクトロニクス)

14:30 〜 14:45

[16p-B508-6] 3.6 nm厚極薄膜Hf_0.5Zr_0.5O₂強誘電体のwakeup特性の周波数依存性

〇川野麻琴¹、トープラサートポンカシディット¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東大工)

キーワード：強誘電体