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△ [16p-D505-4] Ag-Ge-Sb-Te系CBRAM におけるRF入力によるDC抵抗変化
キーワード:RF波入力可能なCBRAM、アモルファスカルコゲナイド半導体、Ag-Ge-Te系
アモルファスカルコゲナイド半導体の中にAgなどの活性金属イオンが移動する異常拡散は,フィラメント形成などの興味深い電気化学反応としてのみならず,メモリー,センサーなど広い応用に向け研究されている。Agフィラメント形状は電気化学反応,拡散,応力とった複雑な材料パラメータに依存し,成長メカニズムはCBRAM機構の理解に重要である。我々はRF波入力可能なAg-Ge-Te系CBRAMを作成し,RF波によるCBRAMの特性変化を評価してきた。本研究では,異なるフィラメント形状を示すAg-GeTe(樹枝状)とAg-Ge2Sb2.5Te5 (シート状)において定性的に異なる抵抗のRF周波数依存性を見出したので報告する。