[16p-D505-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[16p-D505-5] アモルファス硫化ゲルマニウム膜への銀のフォトドーピング― 硫化ｹﾞﾙﾏﾆｳﾑ膜ｱﾆｰﾙ処理の効果

〇(M2)能登 勇真¹、加茂 直紀¹、渋谷 猛久²、村上 佳久³、坂口 佳史⁴ (1.東海大工、2.東海大理系教育ｾﾝﾀｰ、3.筑波技術大、4.CROSS)

キーワード：フォトドーピング、X線, 中性子反射率、アモルファス硫化ゲルマニウム

フォトドーピングとは金属/アモルファスカルコゲナイド（a-Ch）の二層膜にa-Chの吸収端近傍の光を照射することで金属がa-Ch中へ異常拡散する現象である．光照射の経過時間に伴う銀の拡散状態の変化が中性子反射率（NR），X線反射率(XRR)により調べられている．本報告では二硫化ゲルマニウム薄膜へのアニール処理が銀のフォトドーピングへ与える影響をNR, XRRによって調べた結果を報告する．