[16p-D505-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[16p-D505-6] 赤外光熱偏向分光法によるGe₂Sb₂Te₅薄膜のギャップ内準位評価

〇後藤 民浩¹ (1.群馬大理工)

キーワード：相変化材料、ギャップ内準位、光熱偏向分光法

Ge₂Sb₂Te₅薄膜は、可逆的な電気抵抗率の変化により、不揮発性電気メモリとして安定な動作を実現できる。一方、高抵抗から低抵抗への遷移は高電界現象であり、ギャップ内準位が重要な働きをすると考えられる。特にアモルファス相の膜質は、製膜条件や熱履歴に大きく影響される。そこで、赤外線領域まで拡張した光熱偏向分光法(PDS)を用い、スパッタ条件の異なる試料のギャップ内準位評価を行った。