[16p-D505-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [16p-D505-7] サブバンドギャップのシングルフェムト秒パルス励起によるMnTe薄膜の相転移

〇高橋 廣守¹、佐藤 守¹、森 竣祐²、須藤 祐司^2,4、谷村 洋³、斎木 敏治¹ (1.慶大工、2.東北大工、3.東北金属材料研、4.東北大材料科学高等研)

キーワード：MnTe、相変化材料、フェムト秒レーザー

近年, データを高速に処理できるメモリの一つとして, 相変化ランダムアクセスメモリが注目されている. そして, その材料として, MnTeを用いることで, 省エネルギーかつ高速動作が可能なメモリの実現が期待されている. 本研究では, β相MnTe薄膜に800nmの単一フェムト秒レーザーパルスを照射し, α相への相転移を誘起させた. その結果、照射箇所はコントラストに大きな差が生じ, α-MnTeのE2gフォノンモードに起因するラマンピークを確認した.