[16p-D505-1~9] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

△ [16p-D505-8] Gigantic change in electrical resistivity induced by thermally switchable crystalline phases in layered oxide Sr_2.5Bi_0.5NiO₅

〇Kota Matsumoto¹, Hideyuki Kawasoko^1,2, Eiji Nishibori³, Tomoteru Fukumura^1,4 (1.Tohoku Univ., 2.JST PRESTO, 3.Univ. Tsukuba, 4.WPI-AIMR, CRC)

Keywords:crystalline phase change, atomic arrangement control, layered oxide

ストレージクラスメモリとして注目される相変化メモリは、アモルファス相や結晶相など、2つの相の熱的スイッチングによる電気抵抗率の変化を駆動原理とし、その材料系はカルコゲナイドに限られている。本研究では、層状酸化物Sr_2.5Bi_0.5NiO₅において、大気アニールにより、5つの結晶相を見出し、そのうち、3つの結晶相について、酸化物では初の熱的スイッチングにより、大きな電気抵抗率の変化を実現した。