[16p-D505-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [16p-D505-8] 層状酸化物Sr_2.5Bi_0.5NiO₅における結晶相の熱的スイッチングが誘起する巨大な電気抵抗率変化

〇松本 倖汰¹、河底 秀幸^1,2、西堀 英治³、福村 知昭^1,4 (1.東北大理、2.JSTさきがけ、3.筑波大数理物質、4.東北大WPI-AIMR＆CRC)

キーワード：結晶相変化、原子配列制御、層状酸化物

ストレージクラスメモリとして注目される相変化メモリは、アモルファス相や結晶相など、2つの相の熱的スイッチングによる電気抵抗率の変化を駆動原理とし、その材料系はカルコゲナイドに限られている。本研究では、層状酸化物Sr_2.5Bi_0.5NiO₅において、大気アニールにより、5つの結晶相を見出し、そのうち、3つの結晶相について、酸化物では初の熱的スイッチングにより、大きな電気抵抗率の変化を実現した。