[16p-E102-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-E102-1] ミストCVD法によるScAlMgO₄基板上Ga₂O₃成長の成長温度依存性

〇加藤 颯真¹、山下 修平¹、和田 邑一¹、高根 倫史³、山藤 祐人¹、城川 潤二朗¹、松倉 誠⁴、小島 孝広⁴、四戸 孝⁵、出浦 桃子²、金子 健太郎³、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研、4.(株)オキサイド、5.(株)FLOSFIA)

キーワード：半導体、酸化ガリウム、SAM基板

Ga₂O₃の熱伝導率が極めて小さいという課題に対し、強いc面劈開性をもつScAlMgO₄(SAM)基板上にGa₂O₃薄膜成長すれば、容易に基板を剥離でき、放熱の問題を改善できる。前回我々は、ミストCVD法を用いてSAM基板上にGa₂O₃を500～700 °Cで成長した後、800～900 °Cでアニールすると安定なβ-Ga₂O₃が得られることを示した。そこで今回は、より高温でSAM基板上にGa₂O₃をミストCVD法で成長し、成長のみでβ-Ga₂O₃が得られるかを調べた。